Samsung представляет 4-Гбит чипы DRAM

Samsung представляет 4-Гбит чипы DRAM

Samsung объявила о создании технологии, позволяющей производить 4-Гбит чипы DRAM. Столь впечатляющие результаты получены благодаря использованию 0,10-мкм процесса и ряда других запатентованных фирмой технологий. В чипе реализована 16-бит структура ввода/вывода и возможность работы на пониженном до 1,8 В напряжении питания. В первую очередь новые чипы будут ориентированы на использование в высокопроизводительных серверах. Samsung сообщает, что использование 0,10-мкм процесса в ныне производимых 128/256-Мбит чипах позволит снизить их себестоимость на 60 процентов. Таким образом, следует ожидать очередного ожесточения ценовой конкуренции (на радость потребителям) между производителями DRAM.